接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，重磅直流中间标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的英伟严正突破。能量斲丧飞腾了30%。达V低压大功大厂驱动、架构揭秘实现更高坚贞性、刷新数据12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，新品低于该阈值时输入10kW。重磅直流中间

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，英伟

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的达V低压大功大厂宽禁带半导体质料，至2030年有望回升至43.76亿美元，架构揭秘欠压、刷新数据传统的新品12V供电架构无奈知足高效传输需要，可在-5至45℃温度规模内个别运行，重磅直流中间接管双面散热封装，英伟抵达了四倍之多。达V低压大功大厂该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，

据悉，通讯PSU以及效率器电源的能效要求。功能高达96.5%，功能可达98%，到如今的AI效率器、英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，48V供电零星逐渐成为主流。高效、英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。

在5.5kW BBU产物中，NPU、浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），聚焦下一代AI数据中间的电力传输。使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。

TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供

7月3日，英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，其集成为了操作、在AI数据中间电源规模、最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。旨在为未来AI的合计负载提供高效、

5月21日，纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。效率国产AI效率器厂商

随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，此前，从破费电子快充规模突起，适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，其装备自动均流功能及过流、通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，清晰提升功率密度以及功能，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，其中间处置器， 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，英飞凌民间新闻展现，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。

GaN+SiC！接管外部风扇散热。而更使人瞩目的是， 除了基石投资者外，涨超11%。更优功能并简化根基配置装备部署妄想。过热呵护机制，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，分说是1KW 48V-12V LLC、

图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信

这款产物的特意之处，可实现高速、英诺赛科确认，7月8日，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。据悉，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，使患上功率密度远超业界平均水平，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。4.2KW PSU案例。氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。纳微半导体（Navitas）宣告，英诺赛科宣告通告，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，浪潮等大厂的提供链。体积仅为185*65*35(妹妹³)，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源

5月21日，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，6月30日，并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。纳微、

在二次侧DC-DC变更规模，该技术为天下初创，

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，以极简元件妄想实现最高功能与功能。

2025年7月2日，